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退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

　　3、温度验证合格标准

　　a、温度均匀性：在320℃恒温生产工艺灭菌时间内，箱体内同一时刻，同一截面所有测试点的温度值与值之差不得大于 10℃;

　　b、隧道式烘箱恒温段大于5分钟，恒温段温度在310℃与330℃之间，冷却段结束温度在50度以下;

　　c、 在灭菌过程中各测试点灭菌有效，Fh值合格。

　　4、报告

　　确认工作结束，通过软件生成 pdf 格式报告，打印生成的报告，由验证人员及审核人员审核签字，作为附件附于验证方案后，与验证方案中结论形成终的温度确认报告。报告包括以下三个部分：验证报告、数据报表、校准证书。验证报告为验证人员及审核人员对验证的全过程及报告做出的综合评价及终结论。